Биполярные транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Биполярные транзисторы

Распродажа
Наименование
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Примечание

Фильтр×

только в наличии ×
Производитель:
LRC ×

Найдено: 324

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Тип проводимости и конфигурация	Комплементарная пара	Рассеиваемая мощность	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии	Граничная рабочая частота	Коэффициент усиления по току, max	Встроенное сопротивление в базовой цепи	Встроенное сопротивление в цепи БЭ	Примечание
LMUN2233LT1G (LRC) % Выбрать →	4 735 081 шт.	от 0,75	0 дн. Немедленно	—		—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
LBC847BLT1G (LRC) Выбрать →	4 314 067 шт.	от 0,64	0 дн. Немедленно	—		—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LBC846BPDW1T1G (LRC) хит % Выбрать →	2 787 559 шт.	от 0,64	0 дн. Немедленно	—	—	—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP
LMBTA92LT1G (LRC) Выбрать →	4 533 700 шт.	от 0,98	0 дн. Немедленно	—		—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
LMUN2111LT1G (LRC) Выбрать →	2 089 319 шт.	от 0,82	0 дн. Немедленно	—		—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
LMBTA64LT1G (LRC) хит Выбрать →	1 818 695 шт.	от 2,30	0 дн. Немедленно	—		—	—			—	—	—	—
LMUN5211DW1T1G (LRC) % Выбрать →	1 928 781 шт.	от 1,40	0 дн. Немедленно	—	—	—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
LBC847CLT1G (LRC) Выбрать →	1 205 167 шт.	от 0,63	5 дн.			—	—				—	—	—
LBC817-40LT1G (LRC) Выбрать →	6 804 152 шт.	от 0,57	3 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LBC857BLT1G (LRC) Выбрать →	3 538 182 шт.	от 0,69	3 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
LMBT3906LT1G (LRC) Выбрать →	13 979 999 шт.	от 0,34	3 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
L8050HRLT1G (LRC) Выбрать →	3 639 484 шт.	от 0,60	11 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L8550HQLT1G (LRC) Выбрать →	7 580 476 шт.	от 0,50	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L8550HRLT1G (LRC) Выбрать →	3 430 610 шт.	от 0,49	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
LBC856BWT1G (LRC) Выбрать →	177 905 шт.	от 0,85	11 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
LBSS5240LT1G (LRC) Выбрать →	1 203 274 шт.	от 1,68	12 дн.			—	—			—	—	—	—
LH8050QLT1G (LRC) Выбрать →	4 237 665 шт.	от 0,76	11 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
LH8550QLT1G (LRC) Выбрать →	2 840 253 шт.	от 0,90	13 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
LMBT2222ALT1G (LRC) Выбрать →	7 169 823 шт.	от 0,50	3 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LMBT2907ALT1G (LRC) Выбрать →	9 041 190 шт.	от 0,53	12 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 17, показано 20 товаров из 324

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.