Биполярные транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Биполярные транзисторы

Распродажа
Наименование
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Примечание

Фильтр×

только в наличии ×
Производитель:
LRC ×

Найдено: 314

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Тип проводимости и конфигурация	Комплементарная пара	Рассеиваемая мощность	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии	Граничная рабочая частота	Коэффициент усиления по току, max	Встроенное сопротивление в базовой цепи	Встроенное сопротивление в цепи БЭ	Примечание
LMUN2233LT1G (LRC) Выбрать →	14 049 686 шт.	от 0,68	0 дн. Немедленно	—		—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
LBC847BLT1G (LRC) Выбрать →	9 926 892 шт.	от 1,89	0 дн. Немедленно	—		—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LBC846BPDW1T1G (LRC) % Выбрать →	3 220 574 шт.	от 0,93	0 дн. Немедленно	—	—	—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP
LMBTA92LT1G (LRC) Выбрать →	6 479 585 шт.	от 0,88	0 дн. Немедленно	—		—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
LMUN2111LT1G (LRC) Выбрать →	6 198 534 шт.	от 1,32	0 дн. Немедленно	—		—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
LMBTA64LT1G (LRC) хит Выбрать →	3 323 087 шт.	от 1,70	0 дн. Немедленно	—		—	—			—	—	—	—
LMUN5211DW1T1G (LRC) % Выбрать →	3 229 366 шт.	от 1,48	0 дн. Немедленно	—	—	—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
LBC847CLT1G (LRC) Выбрать →	2 373 230 шт.	от 0,53	3 дн.			—	—				—	—	—
LBC817-40LT1G (LRC) Выбрать →	12 319 928 шт.	от 0,67	3 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LBC857BLT1G (LRC) Выбрать →	7 017 060 шт.	от 0,59	3 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
LMBT3906LT1G (LRC) Выбрать →	24 452 427 шт.	от 0,32	3 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
L8050HRLT1G (LRC) Выбрать →	11 609 236 шт.	от 0,64	11 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L8550HQLT1G (LRC) Выбрать →	18 874 582 шт.	от 0,53	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L8550HRLT1G (LRC) Выбрать →	6 407 750 шт.	от 0,52	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
LBC856BWT1G (LRC) Выбрать →	583 460 шт.	от 0,96	12 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
LBSS5240LT1G (LRC) Выбрать →	2 953 864 шт.	от 1,78	12 дн.			—	—			—	—	—	—
LH8050QLT1G (LRC) Выбрать →	7 921 256 шт.	от 0,78	11 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
LH8550QLT1G (LRC) Выбрать →	5 594 422 шт.	от 0,96	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
LMBT2222ALT1G (LRC) Выбрать →	14 645 725 шт.	от 0,55	3 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LMBT2907ALT1G (LRC) Выбрать →	15 476 238 шт.	от 0,57	12 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 16, показано 20 товаров из 314

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.