IGBT транзисторы
?page=14&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 388
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CM75TX-24S (MIT) | 4 шт. | от 21 458,60 |
8 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| STGF19NC60WD (ST) | 19 шт. | от 382,77 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
| SLA5222 (SK) | 70 шт. | от 1 221,35 |
30 дн. |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — |
 |
— | — |
| STGF30H60DF (ST) | 1 шт. | от 604,00 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
| STGWA19NC60HD (ST) | 786 шт. | от 275,51 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
| CM1200DC-34N (MIT) | 5 шт. | от 81 093,10 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel |
| STGP19NC60H (ST) | 750 шт. | от 581,10 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
| STGWT30H65FB (ST) | 982 шт. | от 288,82 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWT40HP65FB (ST) | 937 шт. | от 254,95 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGB19NC60WT4 (ST) | 2 000 шт. | от 368,72 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB |
| STGD6M65DF2 (ST) | 15 169 шт. | от 91,08 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGF4M65DF2 (ST) | 1 479 шт. | от 287,95 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGP19NC60W (ST) | 348 шт. | от 453,18 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
| STGWT38IH130D (ST) | 192 шт. | от 465,86 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| STGFW35HF60W (ST) | 285 шт. | от 874,28 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 36A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| RGTH50TS65GC11 (ROHM) | 2 267 шт. | от 191,49 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJH65D27BDPQ-A0#T2 (RENESAS) | 64 шт. | от 847,52 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWT20IH125DF (ST) | 953 шт. | от 304,30 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJP60F5DPK-01#T0 (RENESAS) | 79 шт. | от 557,47 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| STGYA120M65DF2 (ST) | 380 шт. | от 935,51 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
NPT, Trench Field Stop | — |
igbt-tranzistory