IGBT транзисторы
?page=9&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Найдено: 5045
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW60H65F (ST) | 713 шт. | от 742,82 |
45 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
|
IXGH2N250 (IXYS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
 |
 |
— | — |
| STGW40H120DF2 (ST) | 784 шт. | от 1 290,81 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
|
IXGH48N60C3D1 (IXYS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
|
NTE2509 (NTE)
|
не поставляется | — | — |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|
IKW20N60T (INFIN)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC |
|
IKW25N120T2 (INFIN)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
IGBT 1200V 50A 349W TO247-3 |
| STGW20NC60V (ST) | 2 933 шт. | от 323,94 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| STGW20V60DF (ST) | 21 шт. | от 630,54 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW20V60F (ST) | 2 645 шт. | от 467,92 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW30V60DF (ST) | 3 460 шт. | от 207,21 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW30V60F (ST) | 30 шт. | от 684,83 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW40V60DF (ST) | 2 179 шт. | от 416,35 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW40V60DLF (ST) | 60 шт. | от 649,15 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW40V60F (ST) | 1 656 шт. | от 381,46 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW60V60DF (ST) | 5 336 шт. | от 289,88 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW60V60F (ST) | 1 064 шт. | от 388,64 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW19NC60HD (ST) | 3 480 шт. | от 562,17 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC |
| STGD6NC60H-1 (ST) | 4 967 шт. | от 98,03 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| STGW20H60DF (ST) | 637 шт. | от 263,57 |
45 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
igbt-tranzistory