IGBT транзисторы
?page=11&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Найдено: 5045
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW20H65FB (ST) | 146 шт. | от 328,13 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW25M120DF3 (ST) | 731 шт. | от 466,73 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW30H60DLFB (ST) | 40 шт. | от 222,65 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW40M120DF3 (ST) | 1 141 шт. | от 626,54 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW80V60F (ST) | 99 шт. | от 1 089,72 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWA15H120DF2 (ST) | 531 шт. | от 1 805,21 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| STGWA15M120DF3 (ST) | 657 шт. | от 230,50 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWA25H120DF2 (ST) | 584 шт. | от 448,44 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWA25M120DF3 (ST) | 932 шт. | от 472,90 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| STGWA40H120DF2 (ST) | 876 шт. | от 557,73 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWA40H120F2 (ST) | 1 180 шт. | от 684,67 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWA40M120DF3 (ST) | 258 шт. | от 337,67 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| STGWA60H65DFB (ST) | 1 458 шт. | от 335,80 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWA60V60DF (ST) | 274 шт. | от 380,37 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWA80H65DFB (ST) | 57 шт. | от 372,88 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGWA80H65FB (ST) | 563 шт. | от 707,28 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel |
|
IGW60T120FKSA1 (INFIN)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
IGBT 1200V 100A 375W TO247-3 |
|
IXBH12N300 (IXYS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
— | — |
|
NGTB30N60SWG (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
| STGW30NC60VD (ST) | 358 шт. | от 1 464,36 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
igbt-tranzistory