Полевые транзисторы
?page=8&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ST ×
Найдено: 1383
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP32N65M5 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP33N60M6 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|
STP35NF10 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP36N60M6 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|
STP3N150 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1500V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP3NK80Z (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP3NK90Z (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP3NK90ZFP (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP40NF10 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP40NF20 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP42N65M5 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP4N150 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
|
STP4NK60Z (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP4NK60ZFP (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
|
STP4NK80Z (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
|
STP55NF06 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
|
STP55NF06FP (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
|
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP55NF06L (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP5N52K3 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 525V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
|
STP5N95K3 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 950V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
polevye-tranzistory