Полевые транзисторы
?page=4&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ST ×
Найдено: 1382
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STD20NF20 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STD2HNK60Z (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA |
 |
— |
|
STD2HNK60Z-1 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA |
 |
— |
|
STD30NF06LT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
LOGIC LEVEL GATE DRIVE |
 |
— |
|
STD30NF06T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD3NK100Z (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1000V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STD3NK50Z-1 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
100% AVALANCHE TESTED |
 |
— |
|
STD3NK50ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA |
 |
— |
|
STD3NK60Z-1 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA |
 |
— |
|
STD3NK80ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 800V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD3NK90ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Стабилитрон в цепи затвора. |
 |
— |
|
STD4NK50ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA |
 |
— |
|
STD4NK60ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Стабилитрон в цепи базы. |
 |
— |
|
STD5N52K3 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 525V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD5NK40Z-1 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1.47ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes |
 |
— |
|
STD5NK40ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Стабилитрон в цепи базы. |
 |
— |
|
STD5NK50ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
N-CHANNEL 500V - 1.22Om - 4.4A Zener-Protected SuperMESH™MOSFET |
 |
— |
|
STD5NM50T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
|
STD5NM60-1 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA |
 |
— |
|
STD60NF06T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA |
 |
— |
polevye-tranzistory