Полевые транзисторы
?page=5&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 481
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QS5K2TR (ROHM) | 309 909 шт. | от 11,38 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.154ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| QS5U12TR (ROHM) | 7 040 шт. | от 38,11 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U13TR (ROHM) | 6 468 шт. | от 34,92 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U16TR (ROHM) | 16 064 шт. | от 38,11 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U17TR (ROHM) | 23 427 шт. | от 44,03 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U21TR (ROHM) | 1 000 шт. | от 42,02 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U23TR (ROHM) | 4 800 шт. | от 21,05 |
35 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U26TR (ROHM) | 6 000 шт. | от 21,05 |
35 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U27TR (ROHM) | 86 400 шт. | от 44,82 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U28TR (ROHM) | 14 906 шт. | от 49,54 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U33TR (ROHM) | 12 826 шт. | от 38,69 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U36TR (ROHM) | 10 513 шт. | от 44,61 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS6K21TR (ROHM) | 24 034 шт. | от 43,82 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 45V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| QS6U24TR (ROHM) | 21 838 шт. | от 35,49 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS8K11TCR (ROHM) | 20 804 шт. | от 21,55 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.07ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| QS8K13TCR (ROHM) | 23 818 шт. | от 107,31 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.039ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| QS8K21TR (ROHM) | 14 681 шт. | от 69,20 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 45V, 0.075ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| R4008ANDTL (ROHM) | 5 410 шт. | от 77,07 |
20 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| R5005CNJTL (ROHM) | 2 шт. | от 332,86 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| R5005CNX (ROHM) | 528 шт. | от 80,79 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
polevye-tranzistory