2N5551 / Cdil
Cdil
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1775 шт | — |
7,30
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
