2N5551 / ON SEMICONDUCTOR
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN, SOT-54; Transistor Type:Small Signal General Purpose; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:160V; Current, Ic Continuous a Max:0.3A; Voltage, Vce Sat Max:200mV; Hfe, Min:80; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-54; Current, Ic @ Vce Sat:50mA; Current, Ic Max:0.3A; Current, Ic hFE:10mA; Pins, No. of:3; Power, Ptot:630mW; Temperature, Full Power Rating:25°C; Voltage, Vcbo:180V; ft, Min:100MHz
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное160 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92