Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1 / Infineon

Не поставляется

Добавить к сравнению

Внутренняя схема GB , Кол-во ключей в модуле 2 , Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 320 А, Технология кристалла Trench Field Stop , Примечания IGBT MODULE 1200V 200A , Корпус —, Максимальная рассеиваемая мощность 1.1 кВт

Описания и документация

f/ff200r12kt4.pdf

Характеристики

  • Внутренняя схема
    GB
  • Кол-во ключей в модуле
    2
  • Напряжение К-Э
    1.2 кВ
  • Рабочий ток при 25°C
    320 А
  • Технология кристалла
    Trench Field Stop
  • Примечания
    IGBT MODULE 1200V 200A
  • Корпус
  • Максимальная рассеиваемая мощность
    1.1 кВт

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.