IRF1404 / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Current, Id Cont 162A
Resistance, Rds On 0.004ohm
Case Style TO-220AB
Current, Idm Pulse 650A
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Pin Format 1 g
2 d/tab
3 s
Power Dissipation 200W
Power, Pd 200W
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 40V
Корпус TO220 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 162 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 160 нКл, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Характеристики
-
КорпусTO220
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса162 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора160 нКл
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel