IRF1404ZPBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 40V, 190A, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 40V
Current, Id Cont 190A
Resistance, Rds On 0.0037ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 750A
Power Dissipation 220W
Power, Pd 220W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 3.7ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A 0.65°C/W
Voltage, Vds Max 40V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C 75 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 3.7 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 3.7 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 150 нКл, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 4 340 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C75 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min3.7 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max3.7 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора150 нКл
-
Рассеиваемая мощность200 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора4 340 пФ