IRF1404PBF / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 40V, 162A, TO-220
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity N
Voltage, Vds Typ 40V
Current, Id Cont 162A
Resistance, Rds On 0.004ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V
Voltage, Vgs th Typ 4V
Case Style TO-220AB
Termination Type Through Hole
Current, Idm Pulse 650A
Lead Spacing 2.54mm
No. of Pins 3
Pin Format 1 g
2 d/tab
3 s
Power Dissipation 200W
Power, Pd 200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 0.004ohm
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W
Transistors, No. of 1
Voltage, Vds Max 40V
Корпус TO220AB , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C 202 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 4 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 4 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 196 нКл, Рассеиваемая мощность 333 Вт, Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel , Ёмкость затвора 5 669 пФ
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток40 В
-
Ток стока номинальный при 25°C202 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min4 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max4 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора196 нКл
-
Рассеиваемая мощность333 Вт
-
ПримечаниеHEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
-
Ёмкость затвора5 669 пФ