IRF5210S / Infineon
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, P D2-PAK
Transistor Type MOSFET
Transistor Polarity P
Current, Id Cont 40A
Resistance, Rds On 0.06ohm
Case Style TO-263
Termination Type SMD
Current, Idm Pulse 140A
Power Dissipation 200W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB 3.8W
Power, Pd 200W
SMD Marking IRF5210S
Temperature, Current 25°C
Temperature, Full Power Rating 25°C
Voltage, Vds 100V
Voltage, Vds Max 100V
Voltage, Vgs th Max -4V
Корпус TO263 , Конфигурация и полярность P , Максимальное напряжение сток-исток -100 В, Ток стока номинальный при 25°C 38 А, Сопротивление открытого канала (мин) 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 60 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 60 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 2 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Заряд затвора 120 нКл, Рассеиваемая мощность 170 Вт, Примечание 100V P-ch MOSFET 38A in D2-PAK
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO263
-
Конфигурация и полярностьP
-
Максимальное напряжение сток-исток-100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C38 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min60 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max60 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min2 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Заряд затвора120 нКл
-
Рассеиваемая мощность170 Вт
-
Примечание100V P-ch MOSFET 38A in D2-PAK