2N5551RLRPG / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность625 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное160 В
-
Ток коллектора600 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
Коэффициент усиления по току, max250
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92