Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

2N5551ZL1G

2N5551ZL1G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Коэффициент усиления по току, max 250 , Примечание High Voltage Transistor NPN

Предлагаем замену

2N5551-Y

2N5551-Y (ONS-FAIR) 11,22

Для 2N5551TA ON SEMICONDUCTOR фотографии временно нет

2N5551TA (ONS-FAIR) 7,26

2N5551G

2N5551G (ONS) 8,33

2N5551

2N5551 (DIOTEC) 1,74

2N5551

2N5551 (DC) 3,20

2N5551

2N5551 (JSCJ) 0,81

2N5551RL1G

2N5551RL1G (ONS) 8,33

2N5551RLRPG

2N5551RLRPG (ONS) 8,33

2N5551

2N5551 (ONS-FAIR) 8,82

2N5551BU

2N5551BU (ONS-FAIR) 2,78

Описания и документация

2N5550-Dhj.pdf

Характеристики

Корпус

TO92
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

625 мВт
Напряжение КЭ максимальное

160 В
Ток коллектора

600 мА
Граничная рабочая частота

100 МГц
Коэффициент усиления по току, min

80
Коэффициент усиления по току, max

250
Примечание

High Voltage Transistor NPN

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 10.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 10.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰