2SD882-AZ / Renesas
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 90 МГц, Коэффициент усиления по току, min 60 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 36562 шт | — |
49,95
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота90 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min60
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
