2SK1317-E / Renesas
хит %
Добавить к сравнению
MOSFET, N, TO-3P
Корпус TO3P , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 1.5 кВ, Ток стока номинальный при 25°C 2.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 12 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 12 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 15 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 15 В, Рассеиваемая мощность 100 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1500V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 990 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 31423 шт | — |
157,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO3P
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток1.5 кВ
-
Ток стока номинальный при 25°C2.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)12 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min12 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max12 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min15 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max15 В
-
Рассеиваемая мощность100 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1500V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора990 пФ