PN7113SW-B1 – отличное решение для замены драйверов хх211x

Преобразование энергии и управление электроприводами в современной силовой электронике осуществляются с помощью схем на основе мощных полупроводниковых ключей, в качестве которых могут использоваться силовые транзисторы IGBT и MOSFET. Для эффективного и надежного управления транзисторными ключами необходимо выполнить ряд требований. Это особенно важно, если в мостовой или полумостовой схеме коммутации нагрузки в качестве верхних ключей используются N-канальные транзисторы. В этом случае для открытия транзистора требуется обеспечить значение управляющего напряжения несколько выше чем основное в цепи нагрузки. Все необходимые требования наиболее оптимально выполняются при использовании специализированных драйверов, в которых реализован целый комплекс решений:

• Сигналы, управляющие драйвером, имеют логические уровни CMOS/TTL;
• Время переключения транзисторов минимально благодаря буферным каскадам, формирующим мощные импульсы тока;
• Работа осуществляется с высоковольтной нагрузкой;
• В наличии интегрированная схема бутстрепного питания (bootstrap) для верхнего ключа;
• Есть механизм различных защит, например, блокировка при пониженном напряжении питания.

Полупроводниковая промышленность выпускает множество различных драйверов, среди которых пользуются популярностью интегральные микросхемы семейства хх211x. Однако их поставка на рынок РФ сопряжена с некоторыми сложностями. Альтернативное решение, позволяющее избежать проблем и срыва производства оборудования – драйвер PN7113SW-B1, выпускаемый китайской компании Chipown.

 
Рис. 1. Корпус и назначение выводов PN7113SW-B1 и хх211x

PN7113SW-B1 - это высоковольтный и высокоскоростной драйвер верхнего и нижнего силовых N-канальных ключей в полумостовой топологии. Он полностью совместим по выводам с серией хх211x (рис. 1), работает при температуре окружающей среды -40...125°С и обладает всеми необходимыми качествами (дополнительные параметры приведены в таблице 1):

• Входы логических уровней 3/5/15 В;
• Бутстрепное питание верхнего ключа;
• Ток управления транзисторами составляет до 2.5 А, напряжение — 10...20 В;
• Цепь нагрузки: постоянный ток до 600 В;
• Максимальная частота: 100 кГц;
• Защита от пониженного напряжения питания (UVLO);
• Согласованная задержка распространения для обоих каналов.

Топологии включения драйверов PN7113SW-B1 и хх211x идентичны (рис. 2).

 
Рис. 2. Типовые схемы управления MOSFET-драйверами PN7113SW-B1 и хх211x

Таблица 1. Параметры PN7113SW-B1

        
Примечание. Динамические параметры указаны для следующих условий: VBIAS (VCC, VBS) = 15 В, CL = 1000 пФ, TA = 25°C.

Производители: CHIPOWN

Разделы: Драйверы IGBT и MOSFET

Опубликовано: 02.06.2025