Полевые транзисторы
?page=12&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 376
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK20J50D[F] (TOS) | 4 159 шт. | от 167,22 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK20J60U[F] (TOS) | 1 900 шт. | от 179,14 |
20 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK20N60W (TOS) | 341 шт. | от 522,38 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | — | — |
| TK20N60W.S1VF (TOS) | 139 шт. | от 563,98 |
14 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK20V60W5.LVQ (TOS) | 3 581 шт. | от 210,78 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK22A10N1.S4X (TOS) | 631 шт. | от 127,06 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK22E10N1.S1X (TOS) | 500 шт. | от 133,55 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK25A60X.S5X (TOS) | 606 шт. | от 278,45 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK25A60X5.S5X (TOS) | 452 шт. | от 403,45 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK25E60X.S1X (TOS) | 141 шт. | от 539,33 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK25E60X5.S1X (TOS) | 84 шт. | от 386,59 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK28A65W.S5X (TOS) | 168 шт. | от 493,37 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK30A06N1.S4X (TOS) | 43 576 шт. | от 47,64 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK30E06N1 (TOS) | 2 590 шт. | от 77,48 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| TK30E06N1.S1X (TOS) | 1 026 шт. | от 72,86 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK30E06N1.S1X[S (TOS) | 16 782 шт. | от 48,96 |
25 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK31A60W.S4VX (TOS) | 1 902 шт. | от 150,91 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK31E60W.S1VX (TOS) | 21 шт. | от 707,92 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK31E60X.S1X (TOS) | 310 шт. | от 481,20 |
14 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK31J60W.S1VQ (TOS) | 53 шт. | от 759,65 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
polevye-tranzistory