Полевые транзисторы
?page=13&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 376
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK31V60W.LVQ (TOS) | 1 771 шт. | от 441,63 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK31V60X.LQ (TOS) | 8 489 шт. | от 394,15 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK32A12N1.S4X (TOS) | 8 821 шт. | от 141,93 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK32E12N1.S1X (TOS) | 150 шт. | от 139,22 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK33S10N1Z.LQ (TOS) | 25 443 шт. | от 70,47 |
12 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK34A10N1.S4X (TOS) | 238 шт. | от 156,80 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK34E10N1.S1X (TOS) | 435 шт. | от 136,52 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK35A08N1.S4X (TOS) | 854 шт. | от 102,05 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK35A65W.S5X (TOS) | 53 шт. | от 1 168,48 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK35A65W5.S5X (TOS) | 59 шт. | от 619,08 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK35E08N1 (TOS) | 592 шт. | от 78,87 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 80V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| TK35E08N1.S1X (TOS) | 726 шт. | от 106,51 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK39A60W.S4VX (TOS) | 189 шт. | от 869,14 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK39J60W.S1VQ (TOS) | 75 шт. | от 628,48 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK39J60W5.S1VQ (TOS) | 112 шт. | от 1 291,72 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK3P50D.RQ[S (TOS) | 6 517 шт. | от 56,75 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK3R1A04PL.S4X (TOS) | 2 233 шт. | от 83,13 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK3R1E04PL.S1X (TOS) | 500 шт. | от 122,87 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK40A06N1.S4X (TOS) | 1 479 шт. | от 102,19 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK40A10N1.S4X (TOS) | 30 шт. | от 191,97 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
polevye-tranzistory