Полевые транзисторы
?page=6&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 473
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R5011FNJTL (ROHM) | 40 шт. | от 110,05 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R5011FNX (ROHM) | 1 466 шт. | от 204,77 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R5013ANJTL (ROHM) | 1 000 шт. | от 184,29 |
35 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| R5013ANXFU6 (ROHM) | 90 шт. | от 196,30 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| R5016ANJTL (ROHM) | 100 шт. | от 149,41 |
35 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| R5016ANX (ROHM) | 386 шт. | от 193,50 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R5016FNJTL (ROHM) | 100 шт. | от 178,89 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R5016FNX (ROHM) | 1 728 шт. | от 221,91 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R5019ANJTL (ROHM) | 453 шт. | от 252,60 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
— | — | — |
| R5021ANJTL (ROHM) | 100 шт. | от 189,55 |
35 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| R5021ANX (ROHM) | 1 988 шт. | от 256,33 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R5205CNDTL (ROHM) | 2 480 шт. | от 59,37 |
35 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 525V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| R5207ANDTL (ROHM) | 4 980 шт. | от 53,42 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004CNDTL (ROHM) | 9 634 шт. | от 46,75 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004ENDTL (ROHM) | 16 905 шт. | от 30,48 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004ENJTL (ROHM) | 3 618 шт. | от 91,04 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004ENX (ROHM) | 2 186 шт. | от 55,75 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004KNJTL (ROHM) | 952 шт. | от 62,66 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6004KNX (ROHM) | 256 шт. | от 87,98 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6006ANX (ROHM) | 550 шт. | от 91,56 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
polevye-tranzistory