Полевые транзисторы
?page=8&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 475
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R6011ENJTL (ROHM) | 1 130 шт. | от 133,82 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6011ENX (ROHM) | 1 962 шт. | от 158,51 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6011KNJTL (ROHM) | 3 930 шт. | от 166,97 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6011KNX (ROHM) | 3 183 шт. | от 130,14 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6012ANJTL (ROHM) | 180 шт. | от 351,13 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| R6012ANX (ROHM) | 612 шт. | от 342,53 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 4.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6012FNJTL (ROHM) | 200 шт. | от 333,94 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6012FNX (ROHM) | 80 шт. | от 143,97 |
35 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6015ANJTL (ROHM) | 80 шт. | от 190,95 |
35 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| R6015ANX (ROHM) | 258 шт. | от 440,75 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6015ANZC8 (ROHM) | 60 шт. | от 596,67 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6015ENJTL (ROHM) | 873 шт. | от 146,10 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6015ENX (ROHM) | 979 шт. | от 256,21 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6015ENZC8 (ROHM) | 90 шт. | от 607,91 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6015FNJTL (ROHM) | 180 шт. | от 429,70 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6015FNX (ROHM) | 398 шт. | от 594,50 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6015KNJTL (ROHM) | 8 076 шт. | от 169,33 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6015KNX (ROHM) | 1 191 шт. | от 164,05 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6018ANJTL (ROHM) | 399 шт. | от 333,94 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6020ANJTL (ROHM) | 2 794 шт. | от 579,48 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
polevye-tranzistory