Полевые транзисторы
?page=7&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 483
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R6004ENDTL (ROHM) | 11 663 шт. | от 30,83 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004ENJTL (ROHM) | 2 880 шт. | от 118,26 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004ENX (ROHM) | 2 436 шт. | от 56,38 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004KNJTL (ROHM) | 566 шт. | от 63,37 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6004KNX (ROHM) | 251 шт. | от 87,99 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6006ANX (ROHM) | 520 шт. | от 151,37 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6007ENJTL (ROHM) | 4 379 шт. | от 78,79 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6007ENX (ROHM) | 900 шт. | от 167,93 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6007KNJTL (ROHM) | 1 217 шт. | от 131,27 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6007KNX (ROHM) | 184 шт. | от 134,82 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6008ANX (ROHM) | 304 шт. | от 264,90 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6008FNJTL (ROHM) | 1 004 шт. | от 106,51 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| R6008FNX (ROHM) | 2 732 шт. | от 321,00 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6009ENJTL (ROHM) | 2 545 шт. | от 84,80 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6009ENX (ROHM) | 945 шт. | от 268,62 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6009KNJTL (ROHM) | 6 738 шт. | от 162,01 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6009KNX (ROHM) | 2 743 шт. | от 92,52 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6010ANX (ROHM) | 252 шт. | от 332,31 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— | — | — |
| R6011ENJTL (ROHM) | 1 216 шт. | от 138,36 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6011ENX (ROHM) | 2 448 шт. | от 153,61 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
polevye-tranzistory