Полевые транзисторы
?page=4&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 473
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK2463T100 (ROHM) | 5 801 шт. | от 50,07 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2731T146 (ROHM) | 33 848 шт. | от 7,31 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| 2SK3065 (ROHM) | 3 214 шт. | от 14,25 |
3 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| BSM180D12P3C007 (ROHM) | 88 шт. | от 39 724,30 |
20 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K1T2R (ROHM) | 303 844 шт. | от 7,27 |
17 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K31T2R (ROHM) | 155 526 шт. | от 12,25 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K33T2R (ROHM) | 184 208 шт. | от 13,00 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K6T2R (ROHM) | 879 442 шт. | от 3,79 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K7T2R (ROHM) | 283 552 шт. | от 3,91 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6M2T2R (ROHM) | 679 198 шт. | от 3,71 |
12 дн. |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
 |
N-CHANNEL AND P-CHANNEL | — | — |
| ES6U1T2R (ROHM) | 8 330 шт. | от 24,03 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| ES6U2T2R (ROHM) | 15 606 шт. | от 9,30 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| IMH9AT110 (ROHM) | 17 970 шт. | от 16,03 |
12 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| QS5K2TR (ROHM) | 225 954 шт. | от 19,95 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.154ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| QS5U12TR (ROHM) | 3 128 шт. | от 37,31 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U13TR (ROHM) | 6 745 шт. | от 33,41 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U16TR (ROHM) | 5 610 шт. | от 35,01 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U17TR (ROHM) | 21 480 шт. | от 40,27 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U23TR (ROHM) | 2 380 шт. | от 17,77 |
35 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| QS5U26TR (ROHM) | 5 940 шт. | от 14,38 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
polevye-tranzistory