Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

Фотография 2N5551YBU ON SEMICONDUCTOR временно отсутствует

2N5551YBU / ON SEMICONDUCTOR

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

Предлагаем замену

2N5551-Y

2N5551-Y (ONS-FAIR) 9,40

Для 2N5551TA ON SEMICONDUCTOR фотографии временно нет

2N5551TA (ONS-FAIR) 8,35

2N5551

2N5551 (DIOTEC) 1,81

2N5551

хит 2N5551 (DC) 3,10

2N5551RL1G

2N5551RL1G (ONS) 8,15

2N5551RLRPG

2N5551RLRPG (ONS) 4,42

2N5551ZL1G

2N5551ZL1G (ONS) 8,34

2N5551BU

2N5551BU (ONS-FAIR) 2,78

Характеристики

Корпус

—
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

625 мВт
Напряжение КЭ максимальное

160 В
Ток коллектора

600 мА
Граничная рабочая частота

100 МГц
Коэффициент усиления по току, min

30
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 30.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰