Полевые транзисторы
?page=5&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 383
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK8Q65W.S1Q (TOS) | 138 шт. | от 227,32 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TP86R203NL.LQ (TOS) | 5 738 шт. | от 61,01 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TP89R103NL.LQ (TOS) | 2 932 шт. | от 46,50 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2313 (TOS) | 3 шт. | от 540,53 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2466 (TOS) | 60 шт. | от 266,06 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2837 (TOS) | 107 шт. | от 448,63 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2967 (TOS) | 12 шт. | от 377,14 |
4 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK3568 (TOS) | 502 шт. | от 90,31 |
3 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK3878[F] (TOS) | 30 шт. | от 595,91 |
5 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SJ168TE85LF (TOS) | 54 149 шт. | от 69,50 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SJ305TE85LF (TOS) | 84 789 шт. | от 26,83 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK1828TE85LF (TOS) | 2 018 шт. | от 14,27 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK1829TE85LF (TOS) | 25 шт. | от 16,12 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2009TE85LF (TOS) | 205 343 шт. | от 15,21 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2034TE85LF (TOS) | 3 000 шт. | от 116,97 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2313[F] (TOS) | 853 шт. | от 600,47 |
4 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2599 (TOS) | 28 шт. | от 63,23 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2615 (TOS) | 82 шт. | от 34,47 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2719[F] (TOS) | 670 шт. | от 802,76 |
25 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2917 (TOS) | 138 шт. | от 1 106,80 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
polevye-tranzistory