Полевые транзисторы
?page=5&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 376
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TP86R203NL.LQ (TOS) | 5 738 шт. | от 60,12 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TP89R103NL.LQ (TOS) | 2 932 шт. | от 45,82 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2313 (TOS) | 3 шт. | от 540,16 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2466 (TOS) | 60 шт. | от 267,29 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2837 (TOS) | 107 шт. | от 450,70 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2967 (TOS) | 12 шт. | от 376,88 |
4 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK3568 (TOS) | 502 шт. | от 90,25 |
3 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| 2SK3878[F] (TOS) | 20 шт. | от 595,50 |
5 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SJ168TE85LF (TOS) | 51 181 шт. | от 69,45 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SJ305TE85LF (TOS) | 78 861 шт. | от 26,70 |
19 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK1828TE85LF (TOS) | 2 018 шт. | от 14,21 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK1829TE85LF (TOS) | 25 шт. | от 16,10 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2009TE85LF (TOS) | 177 298 шт. | от 15,40 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2313[F] (TOS) | 68 шт. | от 603,24 |
4 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2599 (TOS) | 28 шт. | от 63,19 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2615 (TOS) | 82 шт. | от 34,45 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2917 (TOS) | 1 шт. | от 1 106,05 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK3265 (TOS) | 30 шт. | от 128,61 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 700V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| 2SK3700[F] (TOS) | 183 шт. | от 197,35 |
25 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK3797 (TOS) | 5 шт. | от 89,36 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
MOSFET, N, 600V, TO-220SIS; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):430mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes | — | — |
polevye-tranzistory