Полевые транзисторы
?page=6&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 382
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3700[F] (TOS) | 473 шт. | от 386,48 |
20 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK3797 (TOS) | 25 шт. | от 202,67 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
MOSFET, N, 600V, TO-220SIS; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):430mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case ;RoHS Compliant: Yes | — | — |
| 2SK4013 (TOS) | 2 029 шт. | от 179,29 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 1.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK4017[Q] (TOS) | 4 950 шт. | от 115,89 |
17 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK4108 (TOS) | 49 шт. | от 461,09 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| SSM3J117TU.LF (TOS) | 20 110 шт. | от 14,42 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J130TU.LF (TOS) | 24 187 шт. | от 22,14 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J133TU.LF (TOS) | 67 292 шт. | от 16,98 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J15FU.LF (TOS) | 43 579 шт. | от 4,38 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J15FV.L3F (TOS) | 95 090 шт. | от 13,92 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J325F.LF (TOS) | 57 447 шт. | от 8,35 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J353F.LF (TOS) | 16 342 шт. | от 11,23 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J35CTC.L3F (TOS) | 47 157 шт. | от 5,05 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J35MFV.L3F (TOS) | 502 841 шт. | от 5,05 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J36FS.LF (TOS) | 266 568 шт. | от 3,59 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J56ACT.L3F (TOS) | 47 917 шт. | от 7,41 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM3J56MFV.L3F (TOS) | 63 284 шт. | от 3,14 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3K09FU.LF (TOS) | 33 215 шт. | от 12,77 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3K116TU.LF (TOS) | 7 307 шт. | от 21,83 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| SSM3K123TU (TOS) | 26 шт. | от 35,08 |
4 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
polevye-tranzistory