Полевые транзисторы
?page=7&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 475
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R6002ENDTL (ROHM) | 150 шт. | от 88,15 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004CNDTL (ROHM) | 7 360 шт. | от 142,41 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004ENDTL (ROHM) | 30 256 шт. | от 31,82 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004ENJTL (ROHM) | 2 880 шт. | от 122,77 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004ENX (ROHM) | 2 102 шт. | от 58,18 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6004KNJTL (ROHM) | 372 шт. | от 65,39 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6004KNX (ROHM) | 251 шт. | от 91,30 |
30 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6006ANX (ROHM) | 520 шт. | от 157,15 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6007ENJTL (ROHM) | 3 493 шт. | от 84,22 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6007ENX (ROHM) | 900 шт. | от 174,34 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6007KNJTL (ROHM) | 1 074 шт. | от 109,50 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6007KNX (ROHM) | 184 шт. | от 139,96 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6008ANX (ROHM) | 304 шт. | от 275,01 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6008FNJTL (ROHM) | 204 шт. | от 104,00 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| R6008FNX (ROHM) | 1 136 шт. | от 328,10 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
 |
— |
| R6009ENJTL (ROHM) | 1 395 шт. | от 112,46 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6009ENX (ROHM) | 845 шт. | от 277,18 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| R6009KNJTL (ROHM) | 5 628 шт. | от 87,48 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6009KNX (ROHM) | 2 343 шт. | от 169,71 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| R6010ANX (ROHM) | 252 шт. | от 344,99 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— | — | — |
polevye-tranzistory