Биполярные транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Биполярные транзисторы

Распродажа
Наименование
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Примечание

Фильтр×

только в наличии ×
Производитель:
ONS ×

Найдено: 2515

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Комплементарная пара	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии	Граничная рабочая частота	Коэффициент усиления по току, max	Встроенное сопротивление в базовой цепи	Встроенное сопротивление в цепи БЭ	Примечание
MUN5211DW1T1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—	—				—
MJD31CG (ONS)	не поставляется	—	—		—			—	—	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
MMBTA56LT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—			—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
MMBT5550LT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—	—		—	—	—
MMBTA92LT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—			—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
MJE13007G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—			—	—	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
MUN2211T1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—	—				Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
TIP106G (ONS)	не поставляется	—	—		—			—	—	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
MUN5211T1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—	—			—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NSS20601CF8T1G (ONS)	не поставляется	—	—	—			—	—	—	20 V, 8.0 A, Low V_CE(sat) NPN Transistor
MJ15025G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—			—	—	Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
BC850CLT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—				—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
BC857BLT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—			—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
NSS20101JT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—			—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MJ802G (ONS)	не поставляется	—	—		—			—	—	Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 90V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
MJF18004G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—			—	—	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
MJD117G (ONS)	не поставляется	—	—		—			—	—	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
BC848CLT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—				—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
BC858CLT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—			—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
MMUN2112LT1G (ONS)	не поставляется	—	—	—	—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 126, показано 20 товаров из 2515

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.