Полевые транзисторы
?page=4&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 481
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RTL035N03TR (ROHM) | 17 156 шт. | от 21,56 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RTR030P02TL (ROHM) | 245 812 шт. | от 8,92 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RTR040N03TL (ROHM) | 3 258 шт. | от 7,67 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RZF030P01TL (ROHM) | 65 941 шт. | от 67,91 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SCT2120AFC (ROHM) | 15 шт. | от 1 325,03 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| UM6K1NTN (ROHM) | 574 215 шт. | от 4,67 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| 2SK2463T100 (ROHM) | 3 123 шт. | от 49,95 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2731T146 (ROHM) | 22 924 шт. | от 7,43 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| 2SK3065 (ROHM) | 3 522 шт. | от 14,36 |
3 дн. |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| BSM180D12P3C007 (ROHM) | 82 шт. | от 40 447,30 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K1T2R (ROHM) | 378 630 шт. | от 7,40 |
17 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K31T2R (ROHM) | 120 922 шт. | от 16,18 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K33T2R (ROHM) | 84 262 шт. | от 13,25 |
20 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K6T2R (ROHM) | 1 318 341 шт. | от 3,71 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6K7T2R (ROHM) | 235 732 шт. | от 3,54 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| EM6M2T2R (ROHM) | 808 621 шт. | от 3,19 |
12 дн. |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
 |
N-CHANNEL AND P-CHANNEL | — | — |
| ES6U3T2CR (ROHM) | 1 000 шт. | от 21,56 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Isolated) |
| ES6U42T2R (ROHM) | 1 000 шт. | от 35,29 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
Schottky Diode (Body) |
| IMH9AT110 (ROHM) | 18 051 шт. | от 13,73 |
12 дн. |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| QS5K2TR (ROHM) | 195 367 шт. | от 20,31 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.154ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
polevye-tranzistory