Москва

+7 495 741-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
Драйвер затвора с гальванической изоляцией для карбид-кремниевых транзисторов

Драйвер затвора с гальванической изоляцией для карбид-кремниевых транзисторов

STMicroelectronics STGAP2SICSN(C) — это одноканальный драйвер затвора, обеспечивающий гальваническую развязку между силовым каскадом управления затвором и низковольтной логической схемой входного интерфейса. Он предназначен для промышленных приложений средней и высокой мощности, таких как преобразователи напряжения, инверторы, электроприводы.

Устройство доступно в двух различных конфигурациях. STGAP2SICSNTR имеет раздельные выходы втекающего и вытекающего тока, что позволяет оптимизировать режим ключа, используя в цепи затвора резисторы разных номиналов, для открытия и закрытия. Вторая конфигурация (STGAP2SICSNCTR) имеет один выходной контакт и схему подавления эффекта Миллера. Оба варианта обеспечивают высокую гибкость применения и сокращение количества внешних компонентов.

При снижении управляющего напряжения ниже допустимого (17 В) предусмотрена функция защиты, оптимизированная для работы с SiC MOSFET. Кроме того, предусмотрен перевод устройства в «безопасное состояние» в случае достижения температуры перехода пороговой величины, что еще больше повышает надежность работы драйвера.

Два логических входа позволяют выбрать полярность сигнала управления и реализовать блокировку выходов, чтобы избежать перекрестной проводимости в случае неисправности контроллера. Время задержки распространения сигнала около 75 нс, что обеспечивает высокую точность ШИМ-управления. Для снижения энергопотребления устройство можно перевести в режим ожидания.

Применение:

  • Драйверы электродвигателей для бытовой техники, автоматизации производства, промышленных приводов и вентиляторов;
  • Инверторы;
  • Зарядные устройства;
  • Индукционный нагрев;
  • Сварка;
  • ИБП;
  • Блоки питания;
  • DC-DC преобразователи;
  • Корректоры коэффициента мощности.


Особенности:

  • Высоковольтная шина до 1700 В;
  • Выходной ток: 4 А;
  • Устойчивость к синфазным переходным процессам (CMTI): ±100 В/нс во всём температурном диапазоне;
  • Время задержки распространения сигнала вход-выход: 75 нс;
  • Раздельные выходы вытекающего/втекающего тока (STGAP2SICSNTR);
  • Активное подавление эффекта Миллера: 4 А (STGAP2SICSNCTR);
  • Переход в безопасный режим при снижении напряжения управления ниже VHoff: 14.8 В;
  • Максимальное напряжение управления затвором: 17…26 В;
  • Логические входы управления с гистерезисом: 3.3, 5 В, TTL/CMOS;
  • Отключение при перегреве;
  • Функция ожидания;
  • Напряжение изоляции: 4.8 кВ, пик.;
  • Рабочая температура TJ: -40…125 °С;
  • Корпус: SO8


 
Рис. 1. Схема включения STGAP2SICSN

Производители: ST Microelectronics

Разделы: Драйверы IGBT и MOSFET

Опубликовано: 01.11.2021

Товары

STGAP2SICSNTR STGAP2SICSNTR (ST)
5 729 шт.
нет в наличии
+
добавить к сравнению
  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 27.01.2022 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 27.01.2022 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины