Полевые транзисторы
?page=3&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ST ×
Найдено: 1382
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB60NF06LT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB60NF06T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
N-channel 60V - 0.014Om - 60A STripFET™ II Power MOSFET |
 |
— |
|
STB6NK60ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Стабилитрон в цепи базы. |
 |
— |
|
STB6NK90ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STB7NK80ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Стабилитрон в цепи базы. |
 |
— |
|
STB80N20M5 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 200V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB80NF55L-06T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB9NK50ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STB9NK60ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Стабилитрон в цепи затвора. |
 |
— |
|
STD10NM60N (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD10PF06T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
|
STD11NM50N (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD12NF06LT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
|
STD15NF10T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD16N65M5 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.279ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD16NF06T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD17NF03LT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA |
 |
— |
|
STD18N55M5 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 550V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |
 |
— |
|
STD20NF06LT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Управление логическим уровнем |
 |
— |
|
STD20NF06T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA |
 |
— |
polevye-tranzistory