Полевые транзисторы
?page=2&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ST ×
Найдено: 1383
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7002 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
IRF630 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
|
SCT10N120 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
|
STB11NM80T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STB120N4F6 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB13NM60N (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB14NK50ZT4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STB16N65M5 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.279ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB19NF20 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STB21NM60ND (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
|
STB24N60M6 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
|
STB270N4F3 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB30NF20 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STB32N65M5 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB35NF10T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STB36N60M6 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
|
STB40NF20 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
|
STB42N65M5 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
|
STB46NF30 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
|
STB55NF06T4 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB |
 |
— |
polevye-tranzistory