Полевые транзисторы
?page=9&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 382
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM6K403TU.LF (TOS) | 4 122 шт. | от 13,20 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM6K504NU.LF (TOS) | 25 732 шт. | от 10,42 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM6K513NU.LF (TOS) | 171 366 шт. | от 23,34 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM6K514NU.LF (TOS) | 30 392 шт. | от 18,72 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SSM6K781G.LF (TOS) | 34 110 шт. | от 25,25 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| T2N7002AK.LM (TOS) | 698 723 шт. | от 1,64 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| T2N7002BK.LM (TOS) | 699 232 шт. | от 0,77 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK100A06N1.S4X (TOS) | 327 шт. | от 262,69 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK100A08N1.S4X (TOS) | 149 шт. | от 472,56 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK100A10N1.S4X (TOS) | 29 шт. | от 465,32 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK100E06N1.S1X (TOS) | 296 шт. | от 250,18 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK100E06N1.S1X[S (TOS) | 2 778 шт. | от 88,92 |
12 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK100E08N1 (TOS) | 3 454 шт. | от 255,74 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| TK100E08N1.S1X (TOS) | 244 шт. | от 326,62 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK100E08N1.S1X[S (TOS) | 24 182 шт. | от 56,40 |
17 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK100E10N1 (TOS) | 3 398 шт. | от 598,80 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| TK100E10N1.S1X (TOS) | 3 104 шт. | от 58,73 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK100E10N1.S1X[S (TOS) | 76 399 шт. | от 90,08 |
3 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK100L60W.VQ (TOS) | 300 шт. | от 2 618,69 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK100S04N1L.LQ (TOS) | 9 449 шт. | от 158,29 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
polevye-tranzistory