Полевые транзисторы
?page=11&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:TOS ×
Найдено: 379
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK13A60D (TOS) | 116 шт. | от 61,93 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK13A65U (TOS) | 6 333 шт. | от 93,46 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK14A65W.S5X (TOS) | 284 шт. | от 223,45 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK14A65W5.S5X (TOS) | 124 шт. | от 295,23 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK14E65W.S1X (TOS) | 83 шт. | от 692,26 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK14E65W5.S1X (TOS) | 30 шт. | от 338,16 |
14 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK14G65W.RQ (TOS) | 3 433 шт. | от 172,85 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK15A50D (TOS) | 260 шт. | от 60,93 |
3 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK15J50D[F] (TOS) | 2 973 шт. | от 317,32 |
4 дн. |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| TK15S04N1L.LQ (TOS) | 3 263 шт. | от 86,40 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK16A60W.S4VX (TOS) | 10 748 шт. | от 61,68 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK16A60W5.S4VX (TOS) | 160 шт. | от 230,22 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
| TK16A60W5.S4VXM (TOS) | 1 009 шт. | от 218,76 |
25 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 15.8A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | — | — |
| TK17A80W.S4X (TOS) | 3 451 шт. | от 80,42 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK17E80W.S1X (TOS) | 100 шт. | от 413,05 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK20A60W.S5VX (TOS) | 1 232 шт. | от 149,34 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK20A60W5.S5VX (TOS) | 2 032 шт. | от 92,56 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK20E60U.S1X[S (TOS) | 40 шт. | от 1 077,09 |
25 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| TK20E60W.S1VX (TOS) | 87 шт. | от 580,50 |
14 дн. |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| TK20E60W.S1VX[S (TOS) | 1 310 шт. | от 338,80 |
25 дн. |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
polevye-tranzistory