Полевые транзисторы
?page=3&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 477
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RSH090N03TB1 (ROHM) | 4 995 шт. | от 61,89 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| RSS100N03FU6TB (ROHM) | 2 304 шт. | от 44,75 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RTF016N05TL (ROHM) | 16 952 шт. | от 9,11 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RU1C001UNTCL (ROHM) | 91 140 шт. | от 1,22 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| RU1C001ZPTL (ROHM) | 49 998 шт. | от 1,74 |
11 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| RU1C002UNTCL (ROHM) | 50 034 шт. | от 2,89 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| RUC002N05T116 (ROHM) | 56 234 шт. | от 25,61 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RUF020N02TL (ROHM) | 124 459 шт. | от 5,53 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RUS100N02TB (ROHM) | 3 759 шт. | от 139,79 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RYC002N05T316 (ROHM) | 441 845 шт. | от 2,35 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RZF013P01TL (ROHM) | 17 798 шт. | от 12,18 |
20 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RZF020P01TL (ROHM) | 3 998 шт. | от 10,20 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SCT3080ALGC11 (ROHM) | 4 094 шт. | от 1 179,09 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| SCT3120ALGC11 (ROHM) | 2 627 шт. | от 418,71 |
18 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| SCT3160KLGC11 (ROHM) | 2 865 шт. | от 531,85 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
| 2SK2103T100 (ROHM) | 1 402 шт. | от 22,97 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
— |
| 2SK3541T2L (ROHM) | 691 575 шт. | от 1,56 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| BSM120D12P2C005 (ROHM) | 86 шт. | от 41 003,20 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| QS6K1TR (ROHM) | 86 166 шт. | от 8,60 |
11 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| RSR015P03TL (ROHM) | 5 671 шт. | от 38,50 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
polevye-tranzistory