IGBT транзисторы
?page=4&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 388
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGD6NC60H-1 (ST) | 4 967 шт. | от 98,03 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| STGW20H60DF (ST) | 637 шт. | от 263,57 |
45 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW40H60DLFB (ST) | 2 705 шт. | от 433,84 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW40H65DFB (ST) | 3 075 шт. | от 269,35 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW40H65FB (ST) | 4 499 шт. | от 312,70 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW60H65DFB (ST) | 1 033 шт. | от 376,26 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW60H65FB (ST) | 477 шт. | от 786,59 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW80H65DFB (ST) | 886 шт. | от 409,65 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW80V60DF (ST) | 1 281 шт. | от 615,61 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| RJH60D7BDPQ-E0#T2 (RENESAS) | 100 шт. | от 385,02 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW30H65FB (ST) | 3 921 шт. | от 258,90 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| RJH60F5DPQ-A0#T0 (RENESAS) | 84 шт. | от 636,77 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| STGW15H120DF2 (ST) | 2 750 шт. | от 684,64 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW25H120DF2 (ST) | 1 290 шт. | от 410,31 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW25H120F2 (ST) | 1 050 шт. | от 508,26 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
| STGW30H60DFB (ST) | 5 151 шт. | от 177,56 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW40H120F2 (ST) | 1 091 шт. | от 485,63 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW15M120DF3 (ST) | 464 шт. | от 546,92 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW20H65FB (ST) | 146 шт. | от 328,13 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW25M120DF3 (ST) | 731 шт. | от 466,73 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
igbt-tranzistory