IGBT транзисторы
?page=3&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Напряжение К-Э максимальное
-
Ток коллектора максимальный при 25°C
-
Напряжение насыщения К-Э
-
Время включения
-
Время выключения
-
Время восстановления диода
-
Максимальная мощность
-
Заряд затвора
-
Тип входа
-
Тип
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 388
Вид:
| | | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW30NC60KD (ST) | 1 175 шт. | от 676,84 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
| STGP3NC120HD (ST) | 8 444 шт. | от 128,51 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
| STGF3NC120HD (ST) | 3 252 шт. | от 152,51 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | IGBT, N 1200V 3A TO-220FP; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:6A; Collector Emitter Voltage Vces:2.8V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous;RoHS Compliant: Yes |
| STGD6NC60HDT4 (ST) | 10 271 шт. | от 57,53 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA |
| STGF14NC60KD (ST) | 734 шт. | от 113,52 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE |
| STGW40NC60W (ST) | 479 шт. | от 737,37 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC |
| STGW50H60DF (ST) | 3 шт. | от 575,54 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
| STGW60H65F (ST) | 713 шт. | от 742,82 |
45 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247 |
| STGW40H120DF2 (ST) | 784 шт. | от 1 290,81 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW20NC60V (ST) | 2 933 шт. | от 323,94 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — |
| STGW20V60DF (ST) | 21 шт. | от 630,54 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW20V60F (ST) | 2 645 шт. | от 467,92 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW30V60DF (ST) | 3 460 шт. | от 207,21 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW30V60F (ST) | 30 шт. | от 684,83 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW40V60DF (ST) | 2 179 шт. | от 416,35 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW40V60DLF (ST) | 60 шт. | от 649,15 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW40V60F (ST) | 1 656 шт. | от 381,46 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW60V60DF (ST) | 5 336 шт. | от 289,88 |
3 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
| STGW60V60F (ST) | 1 064 шт. | от 388,64 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
| STGW19NC60HD (ST) | 3 480 шт. | от 562,17 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC |
igbt-tranzistory