Полевые транзисторы
?page=3&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Наименование
-
Корпус
-
Конфигурация и полярность
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
-
Сопротивление открытого канала (мин)
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
-
Диапазон номинальных напряжений затвора
-
Максимальное напряжение затвора
-
Заряд затвора
-
Рассеиваемая мощность
-
Примечание
-
Ёмкость затвора
-
Особенности
Фильтр×
- ×
- Производитель:ROHM ×
Найдено: 483
Вид:
| | | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RSH090N03TB1 (ROHM) | 4 995 шт. | от 62,69 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
| RSS100N03FU6TB (ROHM) | 4 608 шт. | от 44,44 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— |
 |
 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RTF016N05TL (ROHM) | 13 643 шт. | от 25,78 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RU1C001UNTCL (ROHM) | 159 254 шт. | от 1,47 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| RU1C001ZPTL (ROHM) | 44 967 шт. | от 1,73 |
11 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| RU1C002UNTCL (ROHM) | 41 120 шт. | от 2,88 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— |
| RUC002N05T116 (ROHM) | 72 616 шт. | от 23,84 |
4 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RUF020N02TL (ROHM) | 144 162 шт. | от 12,21 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RUS100N02TB (ROHM) | 5 484 шт. | от 137,18 |
25 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RYC002N05T316 (ROHM) | 535 731 шт. | от 2,82 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RZF013P01TL (ROHM) | 23 989 шт. | от 17,76 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RZF020P01TL (ROHM) | 4 288 шт. | от 10,17 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| 2SK2103T100 (ROHM) | 1 402 шт. | от 22,81 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
— | — |
 |
— |
 |
— |
| 2SK3541T2L (ROHM) | 880 489 шт. | от 1,75 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| BSM120D12P2C005 (ROHM) | 108 шт. | от 26 584,10 |
19 дн. |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — | — | — |
 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1200V, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| QS6K1TR (ROHM) | 130 951 шт. | от 8,58 |
11 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — |
| RSR015P03TL (ROHM) | 5 671 шт. | от 37,79 |
30 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RTL035N03TR (ROHM) | 25 268 шт. | от 21,17 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
| RTR030P02TL (ROHM) | 182 398 шт. | от 8,90 |
12 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
| RTR040N03TL (ROHM) | 3 495 шт. | от 7,65 |
13 дн. |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
 |
— |
polevye-tranzistory